5月21日，上海集成电路行业产教融合就业育人联盟（以下简称“就业育人联盟”）在上海大学成立。就业育人联盟由上海大学发起，联合上海和长三角地区的高校，以及来自清华、北大、中科大、西电等全国顶尖的集成电路学院、微电子领域首批国家级现代产业学院、科研机构、集成电路行业企业等自愿组成，旨在产教融合培养集成电路行业紧缺人才的联盟组织。

　　点评：芯片产品的设计制造涉及物理、化学、材料、化工等多个学科，行业技术门槛极高。因此，芯片从设计到生产的各个环节均需要高端人才跟进。以芯片研发为例，据了解，该环节需要的人才学历均要求至少达研究生以上。这意味着，芯片产业高端人才培养周期很长。近年来，随着全球新一轮数字化信息推进发展，世界芯片科技产业进入高速发展阶段，这导致全球各个国家和地区的芯片人才供给均陷入紧缺状态。特别是在国内，由于我国芯片产业发展较其他国家和地区发展起步较晚，且行业前期主要依赖进口，使得国内人才储备较美国日本、中国等其他芯片技术起步早的国家和地区更为不足。

　　据《中国集成电路产业人才》数据显示，2020年、2022年、2023年，我国集成电路行业人才缺口分别为32万人、25万人、20万人。同时，最新报告指出，预计到2023年前后，全行业人才需求将达到76.65万人左右，其中人才缺口将达到20万人。此次成立的就业育人联盟联合了我国集成电路领域的顶尖人才培养力量，将成为国内高校毕业生就业创业工作示范基地之一。在就业育人联盟的先行、示范、引领下，我国芯片产业各环节参与者都将以人才培养为目的，进一步深化产教融合、推动高校人才培养与社会需求有效适配，配合就业育人联盟制定“协同育人、协同办学、协同创新”的产教融合就业育人新机制，将持续为中国芯片人才培养贡献力量，填补国内芯片产业人才空缺，助力国产芯片科技高质量发展。

　　根据备忘录，双方将聚焦集成电路与半导体产业领域，依托坪山区集成电路和半导体产业“强制造”的良好基础，充分发挥复旦大学微电子学院在科研、人才、平台等方面的综合优势，围绕科研与产业合作、人才交流与培养两个主题，共同开展应用技术研究、成果转化和产业化、平台共建、政产学研、人才交流培养等合作，有效提升复旦大学微电子学院科研和产业创新转化水平，全方位助力坪山区打造具有国际竞争力和影响力的集成电路与半导体产业集群。

　　5月21日，比利时微电子研究中心（IMEC）发布公告称，将主办NanoIC试验线亿欧元的投资将通过公共和私人捐款共同完成。欧盟资助计划通过“芯片联合体”（Chips Joint Undertakings）等提供14亿欧元，私人捐款将来自多个行业合作伙伴（包括ASML），总额将达到11亿欧元。

　　5月21日消息，苹果公司首席运营官杰夫・威廉姆斯（JeffWilliams）昨日访问台积电，最新消息称双方举办了一场“秘密会议”，苹果将包圆台积电所有初期2nm工艺产能。

　　长期以来，台积电一直是苹果公司A系列和M系列处理器的独家芯片制造商。苹果预定了台积电100%所有的3nm芯片制造能力，用于iPhone15Pro机型中使用的A17Pro芯片、最新Mac中使用的M3芯片以及新iPadPro中使用的M4芯片。

　　消息显示，苹果高管本次访问台积电，全程受到了魏哲家亲自接待。苹果这次低调的访问是为了确保台积电的先进制造能力，可能是2纳米工艺，用于苹果公司内部的人工智能芯片。

　　5月21日消息，三星计划利用其即将推出的第二代3nm工艺技术来争夺英伟达的芯片代工订单。但最新报告显示，三星3nm工艺的良率仅为20%，这可能成为其竞争中的一个重大障碍。

　　与此形成鲜明对比的是，台积电的N3B工艺良率已接近55%，这使得台积电在先进芯片制造领域保持了其行业领导者的地位。

　　三星的低良率意味着其生产成本将更高，这可能会削弱其在价格和性能方面与台积电竞争的能力。目前三星电子晶圆代工部门已经制定了“Nemo”计划，目标是在2024年赢得英伟达的3nm芯片代工订单。

　　5 月 21 日消息，据台媒报道，台积电宣布已开始利用其 InFO_SoW（晶圆上集成扇出硅）技术生产特斯拉 Dojo AI 训练模块，目标是到2027年通过更复杂的晶圆级系统将计算能力提高40倍。

　　此前消息显示，特斯拉超级计算机自制芯片 Dojo 采用台积电7nm制程，作为台积电首款 InFO_SoW 产品，将提供高速运算定制化需求，且不需要额外PCB载板，就能将相关芯片集成散热模块，加速生产流程。

　　在台积电公布的资料中，InFO_SoW 相比于采用倒装芯片（Flip Chip）技术的 Multi-chip-module（MCM），在线密度、带宽密度方面等多个方面都有明显的优势。根据台积电的说法，它可以将带宽密度提高2倍，阻抗降低97%，同时将互连功耗降低15%。

　　至此，台积电首款SoW产品采用以逻辑芯片为主的集成型扇出（InFO）技术，现已投入生产。另一款采用CoWoS技术的芯片堆叠版本，预计于2027年问世，可整合SoIC、HBM及其他零部件，打造一个强大且运算能力媲美资料中心伺服器机架，或甚至整台服务器的晶圆级系统。

　　5月20日，超威半导体（AMD）计划在中国地区投资50亿元新台币（约合人民币11.22亿元）设立研发中心。

　　据悉，AMD原计划于2023年底申请“领航企业研发深耕计划”，但由于当时计划经费已用罄，后续投资将主要依赖于2025年编列的科技预算。报道中称，AMD董事长兼CEO苏姿丰计划于6月赴地区出席2024台北国际电脑展，并在活动期间讨论相关事宜。

　　有消息称，对于AMD的投资项目，地区方面期望至少能引进20%的外籍人才，并希望有高阶研发主管长期驻台。

　　5月21日，比利时纳米电子学研究中心imec宣布获得战略投资。imec主要从事2nm制程SoC的开发业务，并为从学界到企业界的参与者提供用于原型开发的PDK，从而降低芯片研发风险，提升开发效率。

　　作为一家成立于1982年的研究中心，imec在纳米电子学领域拥有深厚的技术积累和丰富的实践经验。此轮融资将助力imec进一步推进2nm制程SoC的研发工作，并为相关参与者提供更优质的原型开发服务。

　　5月22日，美国半导体和显示设备供应商应用材料公司表示，该公司计划投资40亿美元在硅谷中心地带建立一研究中心，旨在促进全球半导体和计算行业所需基础技术的开发和商业化。应用材料表示，该研究中心名为“设备和工艺创新与商业化”（EPIC），将建在加州桑尼维尔，并于2026年投入使用，将创造多达2000个工程岗位。该中心将在头十年承担约250亿美元的研究工作，汇集来自研究型大学和主要芯片制造商的员工，如英特尔、台积电和三星电子等。应用材料表示将在7年内向新设施投资，并希望美国政府通过《芯片法案》提供补贴。

　　5月20日，据自工信部官网消息，香港投资管理有限公司（简称“港投公司”，HKIC）行政总裁陈家齐拜访工业和信息化部电子信息司，双方围绕RISC-V（第五代精简指令集）应用落地、技术创新和标准制定相关内容展开深入交流。

　　会议提出，RISC-V的开源开放能带来更多的产品优势并构筑更牢固的产业安全基础，已经成为一种技术发展趋势，需要更多的国家和地区参与并作出贡献。同时，RISC-V也面临碎片化的潜在风险，需要多方协同，加强在标准上的合作，利用中国市场优势，快速推进最佳产业实践和应用标准，帮助国际生态发展。

　　香港投资管理有限公司将发挥桥梁纽带动作用，协助内地探索更多的应用示范机会，为技术的国际化推广提供有力支持，并牵头带动香港企业加强与中电标协RISC-V工作委员会合作，以及邀请香港企业将对标准的理解和需求融入行业协会工作中，共同推动RISC-V生态的繁荣与发展。

　　双方通过本次交流座谈，为后续进一步加强香港和内地在RISC-V产业及标准合作、建设常态化交流机制、加快构筑国际化的RISC-V产业体系奠定了基础。

　　【重点企业】IMEC获25亿欧元投资，牵头建设亚2nm中试线日，据比利时半导体研究机构（IMEC）公告，IMEC 将筹集25亿欧元（约合27.15亿美元）的资金，以建立一条中试线（NanoIC），用于开发和测试未来几代先进计算机芯片。

　　据悉，NanoIC 中试线是欧洲芯片联合企业 Chip JU 指定的四条先进半导体中试线项目之一，由 IMEC 牵头建设，将聚焦于亚2nm制程SoC的开发，并为从学界到企业界的参与者提供用于原型开发的PDK，从而降低芯片研发风险，提升开发效率。旨在弥合从实验室到晶圆厂的差距，通过小批量生产加速概念验证产品的开发设计与测试。

　　5月23日消息，根据 ET News 最新报道，三星正在研发一款代号为 Thetis 的新型芯片。这款系统级芯片（SoC）计划于 2025 年开始，利用 2 纳米工艺批量生产，并搭载在 Galaxy S26 系列手机上。与前代 Exynos 2400 采用 AMD RDNA 架构 GPU 不同，Exynos 2600 据说将搭载三星自主研发的 GPU。

　　8英寸SiC功率器件芯片制造生产线日，士兰微发布公告称，公司拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元，并于2024年5月21日签署《8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。

　　公告显示，结合各方在技术、市场、团队、运营、资金、区位和区位政策以及营销等方面的优势，各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集宏半导体有限公司”，以项目公司负责作为项目主体建设一条以 SiC-MOSEFET 为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线万片/月。

　　据悉，第一期项目总投资70亿元，其中资本金42.1亿元，占约60%；银行27.9亿元，占约40%。第二期投资50亿元，在第一期的基础上实施（第二期项目资本结构暂定其中30亿元为资本金投资，其余为银行）。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能。